Tungku tabung horizontal
2.LAB Box Furnace Equipment: 1L -36 l
3. Temperatur kerja dapat mencapai 1200 derajat -1700 derajat
*** Daftar harga untuk seluruh di atas, tanyakan kami untuk mendapatkan
Deskripsi
Parameter teknis
PengantarTungku tabung horizontal, ini adalah peralatan pemanas yang banyak digunakan dalam ilmu material, teknik kimia, manufaktur semikonduktor dan bidang lainnya. Fitur strukturalnya terletak pada susunan horizontal tabung tungku, yang dipanaskan oleh elemen pemanas untuk mengobati bahan di dalam tabung tungku. Ini memanaskan sampel melalui tabung tungku yang diatur secara horizontal, yang memiliki keunggulan kontrol suhu yang tepat, pemanasan yang seragam, dan operasi yang mudah.
Terutama di manufaktur semikonduktor, ia memiliki berbagai aplikasi dan nilai yang signifikan. Struktur dan fungsinya yang unik membuatnya sangat berharga dalam aplikasi seperti anil wafer silikon, perlakuan panas, proses metalisasi, proses etsa, dan proses pengemasan. Pada saat yang sama, kontrol presisi tinggi, pemrosesan efisiensi tinggi, kemampuan beradaptasi yang baik, dan stabilitas yang sangat baik juga membuatnya sangat andal dan stabil dalam manufaktur semikonduktor.
Parameter
Prinsip kerja
Prinsip kerja atungku tabung horizontaldidasarkan pada prinsip -prinsip konduksi dan konveksi panas. Ketika elemen pemanas ditenagai untuk pemanasan, panas ditransfer ke tabung tungku dan sampel melalui konduksi termal, sedangkan udara panas di dalam tungku secara merata mendistribusikan panas di seluruh tungku melalui konveksi.
Proses Pemanasan:
Setelah elemen pemanas dinyalakan, ia menghasilkan panas dan memindahkannya ke tabung tungku. Setelah tabung tungku dipanaskan, ia mentransfer panas ke sampel di dalamnya. Karena konduktivitas termal yang sangat baik dari tabung tungku, sampel dapat dengan cepat mencapai suhu yang ditetapkan.
Kontrol Suhu:
Sistem kontrol suhu memantau suhu di dalam tungku secara real time dan menyesuaikan daya elemen pemanasan berdasarkan perbedaan antara suhu yang ditetapkan dan suhu yang diukur. Ketika suhu yang diukur lebih tinggi dari suhu yang ditetapkan, pengontrol mengurangi daya elemen pemanasan; Ketika suhu yang diukur lebih rendah dari suhu yang ditetapkan, pengontrol meningkatkan daya elemen pemanasan. Dengan terus menyesuaikan daya elemen pemanasan, suhu di dalam tungku dapat dipertahankan konstan.
Kontrol Atmosfer:
Sistem kontrol atmosfer mengontrol lingkungan atmosfer di dalam tungku dengan menyesuaikan laju dan jenis aliran gas. Misalnya, dalam proses pembuatan semikonduktor, perlu untuk mengontrol kandungan oksigen dan uap air di dalam tungku untuk menghindari oksidasi dan kontaminasi sampel. Sistem kontrol atmosfer dapat secara akurat mengontrol lingkungan atmosfer di dalam tungku untuk memenuhi persyaratan proses.
Aplikasi spesifik perabotan tabung horizontal dalam manufaktur semikonduktor
Furnce tabung horizntal memiliki berbagai aplikasi dalam manufaktur semikonduktor, dan struktur dan fungsinya yang unik menjadikannya salah satu peralatan yang sangat diperlukan dalam proses pemrosesan semikonduktor.
Struktur Dasar dan Prinsip Kerja
Perabotan tabung horizntal adalah peralatan pemrosesan semikonduktor yang umum digunakan, yang terlihat seperti tabung panjang dan memiliki ruang reaksi suhu tinggi di dalamnya. Perangkat ini mengadopsi metode kontrol atmosfer, dan lingkungan atmosfer yang berbeda dapat dipilih sesuai dengan persyaratan pemrosesan yang berbeda untuk mencapai efek pemrosesan terbaik.
Prinsip kerja perabotan tabung horiontal adalah memanaskan reaktan di dalam rongga tungku, menyebabkan mereka menjalani reaksi kimia atau perubahan fisik pada suhu tinggi, sehingga mencapai tujuan pemrosesan. Dalam manufaktur semikonduktor, tabung tabung horizontal terutama digunakan untuk anil dan perlakuan panas dari wafer silikon.
Aplikasi di Silicon Wafer Annealing
Tingkatkan integritas kisi wafer silikon
Silicon Wafer adalah salah satu bahan penting dalam industri semikonduktor, dan kualitas serta kinerjanya secara langsung mempengaruhi keandalan dan kinerja perangkat semikonduktor. Selama pemrosesan, wafer silikon rentan terhadap peregangan batas butir karena stres, yang dapat menyebabkan fraktur dan kerusakan kristal silikon. Melalui anil suhu tinggi di tungku tabung horiontal, tekanan pada wafer silikon dapat dihilangkan, menjaganya tetap utuh dan menghindari kerusakan pada kisi wafer silikon.
Selama proses anil, wafer silikon ditempatkan di dalam tungku tabung horiontal dan disimpan pada suhu tinggi untuk jangka waktu tertentu, secara bertahap melepaskan tekanan internal wafer silikon dan mengatur ulang kisi, sehingga meningkatkan integritas kisi wafer silikon.
Meningkatkan sifat listrik wafer silikon
Sifat listrik wafer silikon adalah salah satu faktor kunci yang mempengaruhi kinerja perangkat semikonduktor. Dengan anil dalam tungku tabung horiontal, sifat listrik wafer silikon dapat ditingkatkan, dan konduktivitas serta stabilitasnya dapat ditingkatkan.
Selama proses anil, wafer silikon bereaksi dengan atmosfer di dalam tungku pada suhu tinggi, menghilangkan oksida pada permukaan wafer silikon dan mengaktifkan atom pengotor di dalam wafer silikon, sehingga meningkatkan sifat listriknya.
Menghapus oksida dari permukaan wafer silikon
Permukaan wafer silikon sering mengandung oksida, yang dapat mempengaruhi konduktivitas dan stabilitasnya. Selama proses pembuatan, perlu untuk menghilangkan oksida dari permukaan wafer silikon untuk memastikan kerataan dan kehalusannya, sehingga meningkatkan kinerja perangkat semikonduktor.
Tungku tabung horiontal dapat menghilangkan oksida pada permukaan wafer silikon melalui kontrol atmosfer. Selama proses anil, atmosfer di dalam tungku bereaksi dengan oksida pada permukaan wafer silikon untuk menghasilkan zat volatil, yang kemudian dikeluarkan melalui sistem pembuangan tungku untuk mencapai tujuan menghilangkan oksida.
Aplikasi dalam perlakuan panas wafer silikon
Kontrol wafer silikon yang didoping
Pada perangkat semikonduktor, wafer silikon yang didoping dengan bahan yang berbeda diperlukan karena berbagai persyaratan kinerja listrik. Tungku tabung horiontal dapat menggunakan parameter kontrol atmosfer yang berbeda untuk mengontrol tingkat dan kedalaman doping wafer silikon, untuk memenuhi persyaratan perangkat yang berbeda untuk doping wafer silikon.
Selama proses doping, wafer silikon ditempatkan di dalam tungku tabung horiontal, dan atmosfer di dalam tungku bereaksi dengan wafer silikon, memungkinkan atom yang didoping untuk memasuki bagian dalam wafer silikon. Dengan menyesuaikan parameter seperti atmosfer dan suhu di dalam tungku, jumlah dan distribusi atom yang didoping dapat dikontrol untuk mencapai efek doping yang diinginkan.
Persiapan film tipis di permukaan wafer silikon
Dalam manufaktur semikonduktor, kadang -kadang perlu untuk menyiapkan film tipis di permukaan wafer silikon untuk meningkatkan kinerjanya atau mencapai fungsi spesifik. Tungku tabung horizntal dapat digunakan untuk persiapan film tipis di permukaan wafer silikon.
Selama proses persiapan film tipis, wafer silikon ditempatkan di dalam frnace tabung horizontal, dan atmosfer di dalam tungku bereaksi dengan permukaan wafer silikon pada suhu tinggi untuk menghasilkan film tipis yang diinginkan. Dengan menyesuaikan parameter seperti atmosfer, suhu, dan waktu reaksi di dalam tungku, ketebalan, komposisi, dan sifat -sifat film dapat dikontrol.
Oksidasi dan nitriding wafer silikon
Oksidasi dan nitridasi wafer silikon adalah langkah -langkah proses penting dalam pembuatan semikonduktor. Tungku tabung horizntal dapat digunakan untuk oksidasi dan perawatan nitriding wafer silikon.
Selama proses oksidasi, wafer silikon ditempatkan di ruang tungku tungku tabung horizntal, dan oksigen di ruang tungku bereaksi dengan permukaan wafer silikon pada suhu tinggi untuk membentuk film silikon dioksida. Dengan menyesuaikan parameter seperti konsentrasi oksigen, suhu, dan waktu reaksi di dalam tungku, ketebalan dan sifat film silikon dioksida dapat dikontrol.
Selama proses nitriding, wafer silikon ditempatkan di dalam tungku tabung horizntal, dan gas nitrogen di dalam tungku bereaksi dengan permukaan wafer silikon pada suhu tinggi untuk membentuk film nitrida silikon. Film tipis silikon nitrida memiliki ketahanan aus yang sangat baik, resistensi korosi, dan stabilitas suhu tinggi, yang dapat digunakan untuk melindungi permukaan wafer silikon atau mencapai fungsi spesifik.
Aplikasi lain dari tungku tabung horizontal di manufaktur semikonduktor
Proses metalisasi
Proses metalisasi adalah salah satu langkah penting dalam pembuatan semikonduktor, digunakan untuk membentuk elektroda logam atau kabel pada wafer silikon. Tungku tabung horizntal dapat digunakan untuk perlakuan anil dalam proses metalisasi untuk meningkatkan adhesi dan stabilitas elektroda atau kabel logam.
Selama proses anil, wafer silikon yang disetorisasi ditempatkan di ruang tungku tungku tabung horizntal dan disimpan pada suhu tinggi untuk periode waktu untuk membuat ikatan antara elektroda logam atau kawat dan wafer silikon lebih ketat, sehingga meningkatkan adhesi dan stabilitasnya.
Proses etsa
Proses etsa adalah langkah yang digunakan dalam manufaktur semikonduktor untuk menghilangkan kelebihan bahan dari permukaan wafer silikon. Tungku tabung horizntal dapat digunakan untuk perlakuan anil setelah proses etsa untuk menghilangkan kerusakan dan tegangan yang dihasilkan selama proses etsa.
Selama proses anil, wafer silikon terukir ditempatkan di dalam tungku tabung horizntal dan disimpan pada suhu tinggi untuk jangka waktu tertentu, secara bertahap melepaskan tekanan internal wafer silikon dan mengatur ulang kisi, sehingga menghilangkan kerusakan dan stres yang dihasilkan selama proses etsa.
Proses pengemasan
Proses pengemasan adalah langkah terakhir dalam manufaktur semikonduktor, yang digunakan untuk merangkum perangkat semikonduktor dalam cangkang pelindung untuk meningkatkan keandalan dan stabilitasnya. Tungku tabung horizntal dapat digunakan untuk perawatan anil dalam proses pengemasan untuk menghilangkan stres dan kerusakan yang dihasilkan selama proses pengemasan.
Selama proses anil, perangkat semikonduktor yang dikemas ditempatkan di dalam tungku tabung horizntal dan disimpan pada suhu tinggi untuk jangka waktu tertentu untuk secara bertahap melepaskan tegangan di dalam bahan pengemasan, mengatur ulang kisi, dan menghilangkan tegangan dan kerusakan yang dihasilkan selama proses pengemasan.
Mengurangi efisiensi termal suhu knalpot
Desain Bagian Konveksi yang Dioptimalkan
Tingkatkan jumlah tabung konveksi
Dengan meningkatkan jumlah tabung konveksi, area kontak antara gas buang dan permukaan pemanas dapat diperluas, sehingga dapat meningkatkan efisiensi pertukaran panas dan mengurangi suhu buang.
Pengaturan tabung konveksi yang dioptimalkan
Susunan tabung konveksi yang wajar membuatnya lebih efektif untuk menangkap dan mentransfer panas gas buang. Misalnya, tata letak atau tata letak spiral yang terhuyung -huyung dapat digunakan untuk meningkatkan jalur aliran dan waktu tinggal asap di dalam pipa.
Meningkatkan efisiensi permukaan pemanasan
Gunakan bahan perpindahan panas yang efisien
Pilih bahan dengan konduktivitas termal tinggi untuk membuat permukaan pemanasan, seperti stainless steel, paduan tembaga, dll., Untuk meningkatkan efisiensi pertukaran panas.
Jaga permukaan pemanasan tetap bersih
Bersihkan debu dan kotoran secara teratur di permukaan pemanasan dan jaga permukaannya tetap bersih untuk meningkatkan efisiensi perpindahan panas. Akumulasi debu dan kotoran akan mengurangi kinerja perpindahan panas dari permukaan pemanasan, menghasilkan peningkatan suhu buang.
Sesuaikan proses pembakaran
Kontrol yang wajar dari koefisien udara berlebih
Koefisien kelebihan udara adalah rasio pasokan udara aktual terhadap pasokan udara teoretis. Kontrol yang wajar dari koefisien udara berlebih, hindari terlalu banyak udara ke tungku, dapat mengurangi volume asap, sehingga mengurangi suhu buang.
Meningkatkan efisiensi pembakaran bahan bakar
Dengan mengoptimalkan desain burner dan menyesuaikan parameter pembakaran, seperti kecepatan injeksi bahan bakar dan suhu ruang bakar, efisiensi pembakaran bahan bakar dapat ditingkatkan, dan jumlah bahan bakar pembakaran yang tidak lengkap dapat dikurangi, sehingga mengurangi suhu buang.
Tingkatkan Limbah Peralatan Pemulihan Panas
Pasang preheater udara
Preheater udara dapat menggunakan panas limbah gas buang untuk memanaskan udara yang memasuki tungku, sehingga meningkatkan efisiensi pembakaran dan mengurangi suhu buang.
Siapkan Boil Boiler Limbah
Boiler panas limbah dapat memulihkan panas limbah dalam gas buang dan mengubahnya menjadi energi yang berguna seperti uap atau air panas, sehingga mengurangi suhu buang dan meningkatkan efisiensi pemanfaatan energi.
Tindakan lain
Memperkuat langkah -langkah isolasi
Perawatan pelestarian panas yang baik untuk tubuh tungku tungku tabung horizontal dapat mengurangi kehilangan panas dan mengurangi suhu buang.
Pemeliharaan dan pemeliharaan rutin
Pemeliharaan dan pemeliharaan tungku tabung horizontal secara teratur, seperti memeriksa permukaan pemanas, membersihkan abu, menyesuaikan parameter pembakaran, dapat memastikan operasi normal dan mengurangi suhu knalpot asap.
Perlu dicatat bahwa dalam proses mengurangi suhu knalpot asap, faktor -faktor seperti ekonomi, keamanan dan keandalan peralatan perlu dipertimbangkan secara komprehensif. Pada saat yang sama, juga perlu untuk memilih tindakan dan metode yang sesuai sesuai dengan persyaratan proses spesifik dan kondisi operasi.
Selain itu, ketika suhu buang terlalu rendah, dapat menyebabkan korosi titik embun suhu rendah pada permukaan pertukaran panas. Oleh karena itu, ketika memilih suhu buang, faktor -faktor seperti efisiensi termal dan umur peralatan perlu ditimbang untuk memastikan bahwa suhu buang dapat mengurangi kehilangan panas tanpa menyebabkan kerusakan pada peralatan.
Tag populer: tungku tabung horizontal, pabrikan tungku tabung horizontal, pemasok, pabrik
Sepasang
Tungku tabung suhu tinggiBerikutnya
Tungku tabung terpisahKirim permintaan
